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該器件具有5.5 MΩ%0/ 2.2 mΩ%0的集成MOSFET的,準(zhǔn)確的1 % , 0.6 V基準(zhǔn)電壓源,并集成的升壓開關(guān)。競(jìng)爭(zhēng)樣品功能包括: 3 V至15 V寬輸入轉(zhuǎn)換電壓范圍,非常低外部元件數(shù)量,D- CAP ?模式控制的超快速瞬態(tài),自動(dòng)跳躍模式工作,內(nèi)部軟啟動(dòng)控制,可選擇的頻率
應(yīng)用:服務(wù)器/存儲(chǔ)工作站和臺(tái)式機(jī)電信基礎(chǔ)設(shè)施
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