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公司基本資料信息
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WD4000半導體晶圓厚度Warp檢測設(shè)備自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等參數(shù)，同時生成 Mapping 圖；采用白光干涉測量技術(shù)對 Wafer 表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像，顯示 2D 剖面圖和 3D 立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān) 3D 參數(shù)；基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數(shù)值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實現(xiàn)膜厚測量功能；紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer 不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量 Bonding Wafer 的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。
WD4000半導體晶圓厚度Warp檢測設(shè)備自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓 Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI 等參數(shù)，同時生成 Mapping 圖可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C 電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS 器件等超精密加工行業(yè)。可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。
1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量
WD4000半導體晶圓厚度Warp檢測設(shè)備集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
2、高精度厚度測量技術(shù)
（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進行高效掃描。
（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。
（3）采用Mapping跟隨技術(shù)，可編程包含多點、線、面的自動測量。
3、高精度三維形貌測量技術(shù)
（1）采用光學白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；
（2）隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲，獲得高測量重復性。
（3）機器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點，虛擬夾具擺正樣品，可對多點形貌進行自動化連續(xù)測量。
4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺
（1）大行程龍門結(jié)構(gòu)(40040075mm)，移動速度500mm/s。
（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠。
（3）關(guān)鍵運動機構(gòu)采用高精度直線導軌導引、AC伺服直驅(qū)電機驅(qū)動，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設(shè)備的高精度、高效率。
5、操作簡單、輕松無憂
（1）集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。
（2）具備雙重防撞設(shè)計，避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
（3）具備電動物鏡切換功能，讓觀察變得快速和簡單。
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號 | WD4000系列 |
| 測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
| 可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等 |
| 厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
| 可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
| 測量范圍 | 150μm~2000μm |
| 掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點 |
| 測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
| 三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
| 測量原理 | 白光干涉 |
| 干涉物鏡 | 10(2.5X、5X、20、50,可選多個) |
| 可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
| 粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
| 測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
| 膜厚測量系統(tǒng) | |
| 測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
| 景深 | 1200um |
| 最小可測厚度 | 0.4um |
| 紅外干涉測量系統(tǒng) | |
| 光源 | SLED |
| 測量范圍 | 37-1850um |
| 晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
| 晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
| X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。
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